Chì hè u Nitruru di Galliu?

U Nitruru di Galliu hè un semiconduttore binariu III / V direttu in bandgap chì hè bè adattatu per transistori d'alta putenza capaci di operà à alte temperature. Dapoi l'anni 90, hè adupratu cumunemente in diodi luminosi (LED). U nitruru di galliu emette una luce turchina aduprata per a lettura di discu in Blu-ray. Inoltre, u nitruru di galliu hè adupratu in dispositivi di potenza semiconduttori, componenti RF, laser, è fotonica. In u futuru, videremu GaN in tecnulugia di sensori.

In u 2006, i transistori GaN in modu di rinfurzazione, qualchì volta chjamati GaN FET, anu cuminciatu à esse fabbricati crescendu una strata fina di GaN nantu à u stratu AIN di una cialda standard di siliziu aduprendu una deposizione di vapore chimicu organicu metallicu (MOCVD). U stratu AIN agisce cum'è un buffer trà u substratu è GaN.
Stu novu prucessu hà permessu à i transistori di nitruru di galliu di esse produtibili in e stesse fabbriche esistenti cum'è u siliziu, aduprendu guasi i stessi prucessi di fabricazione. Utilizendu un prucessu cunnisciutu, questu permette costuli di fabricazione simili, bassi è riduce a barriera à l'adopzione per transistori più chjuchi cun prestazioni assai migliorate.

Per spiegà in più, tutti i materiali semiconduttori anu ciò chì hè chjamatu bandgap. Si tratta di una gamma di energia in un solidu induve ùn ci ponu esistere elettroni. In poche parole, una bandgap hè in relazione cù quantu un materiale solidu pò cunduce l'elettricità. U nitruru di galliu hà una bandgap di 3.4 eV, paragunatu à a banda di 1.12 eV di siliziu. U largu di banda più largu di u nitruru di gallu significa chì pò sustene tensioni più alte è temperature più alte chì i MOSFET di siliziu. Questa larga bandgap permette à u nitruru di galliu di esse applicatu à dispositivi optoelettronici di alta potenza è alta frequenza.

A capacità di operà à temperature è tensioni assai più alti di i transistori di arsenide di galliu (GaAs) rende ancu amplificatori di potenza ideali in nitruru di galliu per dispositivi a microonde è terahertz (ThZ), cume imaging è sensing, u futuru mercatu menzionatu sopra. A tecnulugia GaN hè quì è prumette di fà tuttu megliu.

 


Tempu di posta: Oct-14-2020